SUNXPanasonic激光位移傳感器HG-C1030-P

技術參數(shù)

測量中心距離 30mm

測量范圍          ±5mm

重復精度 10μm

直線性      ±0.1% F.S.

溫度特性 0.03% F.S./℃

耐環(huán)境性:保護構(gòu)造 IP67(IEC)

耐環(huán)境性:環(huán)境溫度 -10～+45℃(注意不可結(jié)露、結(jié)冰)、存儲時20～+60℃

耐環(huán)境性:環(huán)境濕度 35～85%RH、存儲時:35～85%RH

耐環(huán)境性:環(huán)境照度 白熾燈:受光面照明度3,000 lx以下

耐環(huán)境性:耐振動    耐久10～55Hz(周期1分鐘) 雙振幅1.5mm XYZ各方向2小時

耐環(huán)境性:耐沖擊 耐久500m/s2(約50G) XYZ各方向3

電纜     0.2mm2 5芯復合電纜, 長2m

電纜延長    0.3mm2以上電纜　    多延長至全長10m

材質(zhì)      本體外殼:壓鑄鋁

前罩:丙烯基

光源 紅色半導體激光 2級(JIS/IEC/GB)/II級(FDA)(注)

大輸出:1mW

投光峰波長度:655nm

(注):根據(jù)FDA規(guī)則中Laser Notice No.50規(guī)定、遵守FDA規(guī)則。

光束直徑   約?50μm

(注):測量中心距離的大小。按照中心光強度的1/e2(約13.5%)定義。如果定義區(qū)域外有光泄漏、并且檢測點 周圍有高于檢測點本身的強反射、測定結(jié)果可能會受到影響。

電源電壓 12～24V DC±10% 脈動P-P10%以下

消耗電流 40mA以下(電源電壓24V DC時)

65mA以下(電源電壓12V DC時)

(注) : 從2016年6月生產(chǎn)的產(chǎn)品開始進行規(guī)格變更。2016年5月前生產(chǎn)的產(chǎn)品： 40mA以下(電源電壓24V DC時)、60mA以下(電源電壓12V DC時)

反應時間     1.5ms/5ms/10ms 可切換

外部輸入      PNP無接點輸入

?輸入條件

無效:0～+0.6V DC或開路

有效:+4～+V DC

? 輸入阻抗:約10kΩ

污損度        2

標高 2,000m以下

控制輸出   PNP開路集電極晶體管

?   大源電流:50mA

?外加電壓:30V DC以下(控制輸出-+V之間)

?剩余電壓:1.5V以下(流出電流50mA時)

?漏電流:0.1mA以下

控制輸出:輸出動作 入光時ON/非入光時ON 可切換

控制輸出:短路保護 配備(自動恢復)

模擬輸出 : 模擬量電壓輸出   ?輸出范圍：0～5V(報警時：+5.2V)

?輸出阻抗：100Ω

模擬輸出 : 模擬電流輸出 ?輸出范圍：4～20mA(報警時：0mA)

?輸出阻抗：300Ω

(注) : 從2016年6月生產(chǎn)的產(chǎn)品開始追加了模擬電流輸出功能。

SUNXPanasonic激光位移傳感器HG-C1030-P